국내 최초 고성능 1200V?실리콘 카바이드?MOSFET 안정적 수율 확보 및 2026년 내 수율 90% 이상 달성 목표
파워큐브세미(대표 강태영)가 SK파워텍(대표 이동재)과 고성능 1200V 16mOhm 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 개발에 성공하고, 양산 가능한 수준의 수율을 확보했다고 밝혔다.
이번에 확보한 1200V 16mOhm 제품은 전기차(EV)의 메인 인버터와 초급속 충전기 등 고전력?고효율이 요구되는 핵심 어플리케이션에 탑재되는 하이엔드 소자다. 특히 125A급 대전류를 구동하기 위해 대면적 칩 설계가 적용되었음에도 불구하고, 초도 개발 랏(Lot)에서 최대 80% 이상의 수율을 확보했다고 회사측은 밝혔다.?
이는 통상적인 대면적 SiC 소자의 초기 개발 수율을 훨씬 상회하는 수치로, 파워큐브세미의 설계 최적화 능력과 SK파워텍의 파운드리 공정이 글로벌 Top-tier 수준에 도달했음을 증명한 것으로 평가된다. 회사측은 2026년 내 수율 90% 이상 달성을 목표로 해, 시장 내 경쟁력을 한층 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다.
파워큐브세미가 공개한 데이터에 따르면, 해당 제품은 단순한 동작 검증을 넘어 제품의 내구성을 가늠하는 항복 전압(Breakdown Voltage)이 정격인 1200V를 뛰어넘는 1500~1650V를 기록해 25% 이상의 안전 마진을 확보했다.? 또한, SiC 소자의 고질적 문제로 지적되던 게이트 산화막 신뢰성 지표인 시간 의존성 절연 파괴 성능 (Time-Dependent Dielectric Breakdown)와 문턱 전압 신뢰성에서 뛰어난 수명과 안정성을 보여, 장시간 고전압 구동 환경에서도 안정적인 성능을 보장할 수 있을 것으로 기대된다.
강태영 파워큐브세미 대표는 "차세대 전력반도체 전문 기업으로서 고성능 칩을 설계하더라도 이를 완벽하게 구현해 줄 파운드리 파트너사가 없다면 제품화는 불가능하다"라며, "이번 성과는 SK파워텍 부산 팹의 높은 공정 기술력과 파워큐브세미의 독자적인 Epi 엔지니어링 노하우가 결합된 결과로, 확보된 양산 수율과 성능 데이터를 바탕으로 국내외 전기차 및 에너지 고객사 프로모션을 강화할 것"이라고 밝혔다.
SK파워텍 양창헌 R&D 담당은 "파워큐브세미의 까다로운 대전류(대면적) 설계 사양을 만족시켜, SK파워텍 신공장의 양산 안정성을 대내외에 입증하게 된 것을 기쁘게 생각한다"라며, "앞으로도 국내 팹리스 기업들과의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 SiC 파운드리 시장에서의 경쟁력을 한층 강화해 나갈 것"이라고 전했다.
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